儀器介紹

本設(shè)備為緊湊型高性能半導體參數(shù)分析系統(tǒng)，優(yōu)化整機運行邏輯與測試架構(gòu)，可將測試配置、程序運行及性能檢定整體作業(yè)耗時降低50%，大幅度簡化測試流程、提升數(shù)據(jù)分析效率。設(shè)備集成多模式一體化測量硬件，搭載專屬Clarius專業(yè)級測試軟件，內(nèi)置數(shù)百套行業(yè)通用標準化測試程序庫，可實現(xiàn)測試流程自動化配置、電學參數(shù)智能提取、數(shù)據(jù)成像可視化與系統(tǒng)化數(shù)據(jù)分析。整機兼具超高測量分辨率與簡易化操作邏輯，兼顧高精度科研測試與大批量樣品快速檢測，是目前高?？蒲性核?、高新技術(shù)企業(yè)研發(fā)端主流的半導體電學特性分析設(shè)備，能夠有效加速新材料與半導體器件工藝迭代，協(xié)助研發(fā)人員完成樣品制程管控、器件可靠性驗證及失效故障溯源分析。

主要功能

系統(tǒng)集成直流I?V、電容C?V、高速脈沖I?V三大核心測量模式，可高精度檢測各類半導體器件、功能薄膜材料的關(guān)鍵電學性能參數(shù)。依托內(nèi)置標準化測試程序與智能算法，設(shè)備可自主完成數(shù)據(jù)采集、降噪處理、特征參數(shù)提取、特性曲線自動繪制與數(shù)據(jù)歸檔，覆蓋材料基礎(chǔ)電學測試、器件性能標定、工藝參數(shù)調(diào)試、樣品失效分析、老化可靠性測評等多元化測試業(yè)務(wù)，適配從基礎(chǔ)材料研究到微納器件開發(fā)的全層級科研測試需求。

適用工藝

設(shè)備應用場景覆蓋半導體微電子、光電元器件、新能源材料、電子信息等多個前沿領(lǐng)域，適配科研研發(fā)、工藝質(zhì)檢、教學實訓等多種工況?？捎糜诟黝惗O管、三極管、晶體管等半導體器件全域電學特性測試；完成功能薄膜、二維材料、導電復合材料的電性能表征；支持MOS類元器件閾值電壓、漏電流、擊穿電壓等專項參數(shù)檢測；實現(xiàn)樣品電容?電壓特性、載流子濃度、界面態(tài)參數(shù)分析，同時可開展器件長期老化可靠性驗證、工藝一致性篩查及新材料對比實驗，亦可支撐高校微電子、材料科學相關(guān)專業(yè)的教學實操訓練。

技術(shù)指標

1、直流I-V測試性能：直流測試模式下電流測試范圍為10aA~1A，電壓測試范圍0.2μV~210V，動態(tài)量程覆蓋微弱漏電信號至大功率器件電學信號，可滿足絕緣薄膜、低維納米材料、功率半導體器件等不同樣品的靜態(tài)電學表征。

2、電容C-V測試性能：電容測試頻率區(qū)間為1kHz~10MHz，支持±30V連續(xù)可調(diào)直流偏置電壓，能夠精準測試樣品電容變化、阻抗特性、載流子分布，適用于MOS結(jié)構(gòu)、介質(zhì)薄膜、電容元器件的界面特性與儲能性能分析。

3、脈沖I-V測試性能：高速脈沖模式輸出電壓范圍±40V（峰峰值80V），輸出電流范圍±800mA；設(shè)備采樣率可達200MSa/s，采樣精度高達5ns，可捕捉器件瞬態(tài)響應特性，有效規(guī)避直流測試產(chǎn)生的熱效應影響，適配易發(fā)熱敏感型器件與超快動態(tài)電學性能測試。

4、電流分辨率：整機低電流分辨率可達0.1fA，具備超高微弱信號采集能力，可精準捕捉微量漏電流、暗電流及微觀載流子遷移信號，滿足納米級器件、超薄介質(zhì)薄膜等高精密測試要求。

5、硬件通道配置：硬件支持模塊化拓展，最高可配置4路獨立SMU信號源測量單元，多通道可同步采集、獨立控制，支持多參數(shù)同步測試與多樣品并行檢測，大幅提升批量實驗測試效率。

6、測量工作模式：標配直流I?V、電容C?V、高速脈沖I?V三種主流測量模式，三種模式自由切換、參數(shù)互通聯(lián)動，一站式兼顧靜態(tài)直流特性、電容特性與動態(tài)瞬態(tài)脈沖特性，全面覆蓋半導體材料與器件全套電學測試工況。