CVD氣相沉積的優(yōu)點和技術(shù)的基本要求概述

更新時間：2025-07-14 點擊次數(shù)：1927

    CVD氣相沉積指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產(chǎn)生的刮痕。

    CVD氣相沉積的優(yōu)點：

    1、沉積成膜裝置簡單；

    2、與直接蒸發(fā)法相比，可在大大低于其熔點或分解溫度的沉積溫度下制造耐熔金屬和各種碳化物、氮化物、硼化物、硅化物和氧化物薄膜；

    3、成膜所需的反應(yīng)源材料一般比較容易獲得，而且制備通一種薄膜可以選用不同的化學(xué)反應(yīng);有意識的改變和調(diào)節(jié)反應(yīng)物的成分，又能方便的控制薄膜的成分和特性，因此靈活性較大；

    4、特別適用于在形狀復(fù)雜的零件表面和內(nèi)孔鍍膜。

    CVD氣相沉積技術(shù)的基本要求：

    使用CVD技術(shù)沉積目標(biāo)產(chǎn)物時，其目標(biāo)產(chǎn)物、原材料及反應(yīng)類型的選擇通常要遵循以下3項原則：

    (1)原材料在較低溫度下應(yīng)具有較高的蒸氣壓且易于揮發(fā)成蒸汽并具有很高的純度，簡而言之原材料揮發(fā)成氣態(tài)的溫度不宜過高，一般化學(xué)氣相沉積溫度都在1000℃以下。

    (2)通過反應(yīng)類型和原材料的選擇盡量避免副產(chǎn)物的生成，若有副產(chǎn)物的存在，在反應(yīng)溫度下副產(chǎn)物應(yīng)易揮發(fā)為氣態(tài)，這樣易于排出或分離。

    (3)盡量選擇沉積溫度低的反應(yīng)沉積目標(biāo)產(chǎn)物，因大多數(shù)基體材料無法承受CVD的高溫。

    (4)反應(yīng)過程盡量簡單易于控制。

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